Из-за ограниченного количества встроенной памяти в современных смартфонах пользователи не могут хранить под рукой абсолютно все свои файлы, включая коллекцию фильмов, фотографий и музыки. Многие исследователи предлагают различные технологии и способы производства чипов памяти с большим объёмом, однако зачастую эти методы ещё не подходят для массового производства. Учёные из Университета Райса разработали новую технологию изготовления резистивной памяти с произвольным доступом (RRAM), которая сможет заменить флеш-память.

Уже сейчас технология может реализовываться в условиях комнатной температуры и с помощью современных средств, что позволит вендорам в скором времени начать массовое производство. На разработку технологии ушло пять лет. Основным материалом для изготовления данного типа памяти является оксид кремния, который намного энергоэффективнее и обладает невероятной плотностью памяти.

Чипсет памяти RRAM объёмом 1 ТБ имеет размеры почтовой марки. Команда Университета Райса сообщила, что многие вендоры уже заинтересовались технологией и готовы лицензировать её для начала массового производства. К сожалению, точные сроки по началу производства пока не разглашаются.

Источник: phonearena.com