Оперативная память DDR4 – это эволюционное развитие своих предшественников. DDR4 имеет повышенную частоту и пониженное напряжение. Частота от 2133 до 4266 МГц, а напряжение составляет от 1,1-1,2 В, что весьма является ее основным преимуществом. Массовое производство будет происходить во второй половине 2012 года. Компания Intel заявила, что раньше 2014 года переходить на данную память не будет, хотя компания Micron уже выпустила первые опытные модули памяти, работающих на частоте 2400 МГц.

Samsung объявила о завершении разработки модулей памяти DDR4 объемом до 2 Гб, чего уже достигла компания Hynix. Память работает на частоте 2400 МГц при напряжении 1,2 В. Подобная память может обрабатывать до 19,5 Гб данных за секунду. Применение памяти в ноутбуках может существенно сэкономить энергопотребление до 45 %, чего не делала DDR3. Samsung сейчас тщательно работает над данным оборудованием, так что будем ждать вскоре новинок модулей памяти.