Методика 14nm-XM (eXtreme Mobility) основана на технологии FinFET (Double-Gate Field-Effect Transistors), предусматривающей применение транзисторов с трёхмерной структурой. По заявлениям GlobalFoundries, новая технология обеспечит увеличение эффективности расходования энергии аккумуляторных батарей на 40–60% по сравнению с нынешними 20-нанометровыми изделиями на базе планарных транзисторов.

Техпроцесс 14nm-XM объединяет FinFET-транзисторы, изготовленные по 14-нанометровой технологии, и элементы 20-нанометровой методики. GlobalFoundries уже начала внедрение технологии на заводе Fab 8 в Саратоге (Нью-Йорк, США). Предполагается, что тестовые образцы изделий следующего поколения появятся в 2013 году. Устройства на 14-нанометровых чипах выйдут на рынок в 2014-м или начале 2015 года.

Напомним, что Intel также наметила пробный выпуск 14-нанометровых процессоров на конец 2013-го, а их массовое производство — на 2014-й. Такие чипы будут изготавливаться по методике Tri-Gate (транзисторы с объёмной структурой).